Vědom si náročnosti cílů bakalářské práce začal Daniel Citterberg pracovat již ve druhém ročníku. Zejména díky jeho pečlivému přístupu a pracovitosti se mu přes neuvěřitelný počet negativních výsledků podařilo tyto cíle splnit. Daniel se ukázal jako výrazně cílevědomý student, věnoval bakalářské práci svůj volný čas a dokázal se vždy z nezdaru poučit a samostatně najít lepší řešení. Jeho práci hodnotím jako vynikající.

Předložená bakalářská práce se zabývá využitím elektronové a optické litografie ke kontaktování a měření transportních vlastností jednorozměrných nanostruktur. Experimentální část práce, zaměřená na výrobu kontaktů v rozměrech desítek či stovek nanometrů, je velmi pečlivě zpracována. Kladně v této části hodnotím i úpravu obrázků, která vhodným způsobem usnadňuje čtenáři pochopení netriviálních procesů výroby vzorků.
Obsah i text teoretické části práce je přehledně zformulován, vyskytuje se zde však několik nesprávných, či nepřesných definic a popisů. Na str. 2 je například zaveden pojem nanohrotu, u kterého není zřejmé, o co se jedná. U popisu obrázku č. 2 je uvedeno, že je možné využít nanotrubici jako hradlovou elektrodu, což však neodpovídá předem definované struktuře polem řízeného tranzistoru, ani obrázku.  Na str. 3 autor nesprávně definuje polovodiče podle jejich odporu ve srovnání s kovem a izolantem. V práci se také vyskytuje několik typograficky nesprávných zápisů (velikost mezery mezi číselnou hodnotou a jednotkou, odskoky mezer, dvě tečky za sebou). Rovnice jsou součástí textu, chybí za nimi čárky. Chybí také číselné hodnoty konstant u vzorců, např. relativní permitivita tenkých vrstev. Citací je v práci velmi málo. V seznamu literatury jsou nesjednoceně zapsány a většina z nich je navíc použita pouze v obrázcích. Chybí také seznam použitých symbolů a zkratek.
Celkově však autor při litografické výrobě postupoval systematicky, díky čemuž se úspěšně podařilo vytvořit zlaté kontakty velmi malých rozměrů. Obecně je výroba nanostruktur s takovými rozměry velmi časově i experimentálně náročná. I přes drobnější nedostatky, převážně v teoretické části, tak považuji tuto práci za kvalitní. Otázky k obhajobě:

1. Na obr. č. 5 je u uvedených polovodičů vždy vyšší hodnota elektronové pohyblivosti. Proč tomu tak je?
2. Jak mohou zbytky IPA ovlivnit transportní vlastnosti ZnO nanodrátu na obr. č. 18?
3. Na str. 3 v poslední větě prvního odstavce je napsáno, že odezva 1D tranzistoru na hradlové napětí je vyšší než u klasického tranzistoru. Proč?