Detail předmětu

Fyzikální technologie

FSI-TFTAk. rok: 1999/2000

Předmět podává přehled pokročilých technologií zaměřených na
depozici tenkých vrstev a povlaků, leptání a legování a žíhání
materiálů, zejména v podmínkách vakua. Zaměřuje se především na
vysvětlení fyzikálních principů těchto procesů.

Jazyk výuky

čeština

Počet kreditů

4

Výsledky učení předmětu

Znalosti umožní studentovi lépe se orientovat ve světě moderních technologií,
jakož i při výběru a vypracovávání diplomových úkolů a v případném
doktorském studiu.

Způsob a kritéria hodnocení

Klasifikovaný zápočet je získán při zohlednění práce ve cvičení (samostatně
řešené příklady a projekt) a úrovni diskuse nad zadaným tématem (při použití
vlastních poznámek).

Učební cíle

Poskytnout studentům základní poznatky o moderních metodách příprav
tenkých vrstev a o současných moderních technologií.

Základní literatura

BRODIE, I. - MURAY, J. J.: The Physics of Micro/Nano-Fabrication
CHEN, F. F.: Úvod do fyziky plazmatu
VÁLYI, L.: Atom and Ion Sources

Doporučená literatura

ECKERTOVÁ, L.: Fyzika tenkých vrstev
ECKERTOVÁ, L.: Elektronika povrchů
RIVIERE, J. C.: Surface Analytical Techniques

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program M2301-5 magisterský

    obor , 3. ročník, letní semestr, povinný

Typ (způsob) výuky

 

Přednáška

28 hod., nepovinná

Vyučující / Lektor

Osnova

Úvod do fyzikálních technologií.
Charakteristika a přehled vybraných fyzikálních technologií. Využití fyzikálních
technologií v průmyslu. Principy fyzikálních technologií a technologického
zařízení. Zdroje elektronů: parametry a výpočet zdrojů
elektronů. Zdroje iontů: parametry a výpočet zdrojů iontů. Prvky
elektronových a iontových optických systémů. Plazma jako zdroj
chemicky aktivních částic. Zdroje fotonů, optické systémy. Zdroje
atomů a molekul. Interakce částic s látkou (elektrony, ionty, fotony,
neutrální částice). Principy růstu vrstev. Fyzikální technologie. Depozice
tenkých vrstev a povlaků (napařování, CVD, PECVD, naprašování, přímá
depozice aj.). Leptání tenkých vrstev a povlaků (chemické leptání,
plazmatické a iontové leptání). Epitaxe. Legování (difúze, iontová
implantace). 'Promíchávání' atomů iontovými svazky. Žíhání
elektronovým a laserovým svazkem. Litografické metody. Analýza
povrchů a tenkých vrstev - přehled. Nové trendy v pokročilých
materiálových technologiích. Použití jednotlivých metod.
TEM, SEM AES, RBS, SIMS ESCA, XPC LEED, RHEED.

Cvičení odborného základu

7 hod., povinná

Vyučující / Lektor

Osnova

Účast ve cvičení je povinná, součástí zápočtu je vypracování zadaného
projektu (program SIMION).

Cvičení na počítači

7 hod., povinná

Vyučující / Lektor

Osnova

Ve výpočetní laboratoři ÚFI FS se studenti především seznámí s využitím
programu SIMION (aktivně). Navrhnou iontovou optiku zadaných zařízení.