Zapojení FG MOS a QFG MOS tranzistorů pro analogové integrované obvody

Novel technique "Enhanced floating gate MOS transistor (EFG-MOST)" for low-voltage low-power analog circuit design to design low-voltage low-power analog integrated circuits

Užitný vzor

Nová technika pro analogové integrované obvody "Enhanced Floating Gate MOS transistor (EFG-MOST)" používá MOS tranzistor s plovoucím hradlem (Floating gate), kde jsou spojeny substrátové hradlo tranzistoru (bulk vývod) a vstupní plovoucí hradlo. Toto spojení vede ke zvýšení celkové transkonduktance tranzistoru a eliminuje se vliv prahového napětí. EFG-MOST umožňuje navrhovat a vyrábět analogové obvody ve standardní CMOS technologii. Unikátnost této techniky spočívá ve snižování napájecího napětí pod 0,8 V a snížení celkové spotřeby. Tato technika je tedy obzvlášť vhodná pro navrhování integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace, kde je snižování napájecího napětí a celková spotřeba obvodů velmi důležitým požadavkem.

The novel technique "Enhanced Floating Gate MOS transistor (EFG-MOST)" is obtained by connecting the input-gate with the bulk-terminal of the floating gate MOS transistor (FG-MOST) whereas the bias-gate of the EFG-MOST is connected to a suitable bias voltage. In this manner, the threshold voltage disappears from the signal path and the total transconductance is given by the sum of both transconductances, i.e. gmb + gm,eff.

MOST s plovoucím hradlem; Substrátem řízený MOST; Návrh nízkonapěťového nízkopříkonového analogového obvodu

Floating-gate MOST; Bulk-driven MOST; Low-voltage low-power MOST

23091

19.07.2011

19.12.2011

19.07.2015

Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

http://spisy.upv.cz/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0023/uv023091.pdf