Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
KOKTAVÝ, P.; KOKTAVÝ, B.
Originální název
Impact ionization in GaAsP PN junctions
Anglický název
Druh
Stať ve sborníku v databázi WoS či Scopus
Originální abstrakt
Currently, the occurrence of microplasma regions in PN junctions is attributed to crystal lattice imperfections. As a rule, these regions feature lower strong-field avalanche ionization breakdown voltages than other homogeneous junction regions. The existence of such regions may lead to local avalanche breakdowns occurring in reverse-biased PN junctions at certain voltages. Macroscopically, these breakdowns are manifested as microplasma noise. Studying the current conductivity bi-stable mechanism thus may be used as an efficient tool to evaluate the PN junction inhomogeneity.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
Impact ionization, microplasma noise, diagnostics, PN junction
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Vydáno
04.09.2007
Nakladatel
CERM
Místo
Brno
ISBN
978-80-7204-537-2
Kniha
Physical and Material Engineering 2007, International Workshop
Strany od
131
Strany do
134
Strany počet
4
BibTex
@inproceedings{BUT27975, author="Pavel {Koktavý} and Bohumil {Koktavý}", title="Impact ionization in GaAsP PN junctions", booktitle="Physical and Material Engineering 2007, International Workshop", year="2007", pages="131--134", publisher="CERM", address="Brno", isbn="978-80-7204-537-2" }