funkční vzorek

2D-FET struktury s indukovaným pnutím jsou vyrobeny na křemíkovém substrátu pomocí CMOS kompatibilních procesů. Struktury je možné mechanicky ohýbat a kontrolovaně do nich indukovat pnutí, čímž se mění vlastnosti 2D materiálu na povrchu, potažmo výstupní charakteristiky 2D-FET. 2D-FET je cíleně umístěn na nejcitlivějším místě na nosníku a reaguje tak nejvíce na změny v protažení nosníku vlivem ohybu. Tyto struktury je možné použít pro aplikace jako je např. měření a sledování buněk, enzymů, aminokyselin, DNA a RNA při pokojové teplotě anebo také měření toxických, výbušných, skleníkových plynů nebo chemických zplodin. Na Obrázek 1 je zobrazen layout 2D-FET struktury vytvořený v Klayoutu včetně detailů na nosníky a připojení elektrod a tvarovaného 2D materiálu. Na Obrázek 2 je zobrazen výrobní postup pro pole nosníků s 2D-FET strukturou pro řízení pnutí uvnitř grafenu. Na Obrázek 3 pak charakterizace grafenu pomocí Ramanovy spektroskopie. Na Obrázek 4 jsou výsledky FEM simulace pro nosník o rozměrech 60 μm x 100 μm. Na Obrázek 5 pak výstupní charakteristika pro FET strukturu s grafenem pro různá napětí VGS.

2D material, tranzistor řízený elektrickým polem, řízené pnutí

15. 9. 2020

Laboratoř Labsensnano Technická 3058/10, 616 00 Brno

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

http://webzor.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=148

2020_2D-FET_struktury_s indukovanym_pnutim.pdf