Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikačního výsledku
STEVIE, F.; SEDLÁČEK, L.; BÁBOR, P.; JIRUŠE, J.; PRINCIPE, E.; KLOSOVÁ, K.
Originální název
FIB-SIMS quantification using TOF-SIMS with Ar and Xe plasma sources
Anglický název
Druh
Článek WoS
Originální abstrakt
A novel time of flight SIMS analyzer provides a new approach to SIMS analysis as an addition to a focused ion beam SEM instrument. The combination of this analyzer with a high current plasma ion source offers new opportunities for analysis, particularly in the study of coatings, which require ultra-deep profiling. Use of this instrumentation showed the ability to detect and quantify a number of elements. Quantification was obtained for Li, Na, K ion implanted in Si and for B in a sample with known concentration. Use of the electron beam from the electron column permitted analysis of 300-nm SiO2/Si implanted with BF2.
Anglický abstrakt
Klíčová slova
SIMS depth profiling; plasma ion source; TOF-SIMS analyzer; FIB-SIMS; SIMS quantification; high sputtering rate
Klíčová slova v angličtině
Autoři
Rok RIV
2016
Vydáno
24.11.2014
ISSN
0142-2421
Periodikum
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS
Svazek
46
Číslo
S1
Stát
Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Strany od
285
Strany do
287
Strany počet
3
BibTex
@article{BUT110788, author="F. A. {Stevie} and L. {Sedláček} and Petr {Bábor} and Jaroslav {Jiruše} and E. {Principe} and K. {Klosová}", title="FIB-SIMS quantification using TOF-SIMS with Ar and Xe plasma sources", journal="SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS", year="2014", volume="46", number="S1", pages="285--287", doi="10.1002/sia.5483", issn="0142-2421" }