Podprahový MOS-rezistor pro aplikace s nízkým napájecím napětím

Bulk-controlled sub-threshold MOS resistors for low-voltage applications

Patent

Je prezentována koncepce nového aktivního integrovaného rezistoru, jenž je realizován prostřednictvím MOS tranzistoru, pracujícího v podprahové oblasti a lineárním režimu, díky čemuž dosahuje poměrně vysoké hodnoty odporu. Navrhované řešení využívá automatický ladicí obvod k nastavení a regulaci hodnoty odporu na principu "master - slave" a zároveň k dosažení výrobní a teplotní stability rezistoru. Unikátnost tohoto návrhu spočívá v tom, že na rozdíl od stávajících řešení využívá svorky bulk MOS tranzistoru jako řídicího hradla (proto bulk-driven), a díky tomu je obvod schopen pracovat při nízkém napájecím napětí. Navrhovaný obvod slouží především pro oblast návrhu integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace.

In this embodiment a bulk-controlled MOS resistor and the associated automatic tuning circuit are proposed. The MOS device operates in the subthreshold region and in linear regime offering relatively high resistance value. The resistance value is adjusted through the bulk terminal using a suitable automatic tuning circuit in order to achieve process and temperature stability. The automatic tuning circuit is based on the master-slave technique in which the resistance of a slave MOS device is locked by the automatic tuning circuit modifying appropriately the bulk-voltage of the master MOS device. The same bulk voltage is shared to the slave device.

Podprahový MOS-rezistor

Sub-threshold MOS resistors

304766

13.12.2013

20.08.2014

Vysoké učení technické v Brně, Brno, CZ

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/304/304766.pdf