Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Project detail
Duration: 01.01.2007 — 31.12.2009
Funding resources
Czech Science Foundation - Postdoktorandské granty
- whole funder (2007-01-01 - 2009-12-31)
On the project
Postdoktorský projekt se zaměřuje na problematiku studia (ultra)tenkých vrstev/multivrstev (2D nanostruktur) připravovaných iontovými a molekulárně svazkovými technologiemi a na aplikaci a zdokonalení metod pro in situ hloubkovou analýzu těchto struktur metodami SIMS, TOF-LEIS a XPS. K hloubkové analýze těmito metodami bude využito nízkoenergiové (200-1500 eV) iontové odprašování. Budou studovány zejména magnetické (ultra)tenké vrstvy a multivrstvy (Co/CoN, Ni/NiN, Co/Al2O3, ....), ultratenké vrstvy Ga a GaN, a "high-k" dielektrické ultratenké vrstvy (ZrO2, HfO2, ...). Tyto vrstvy jsou připravovány v rámci výzkumného záměru pracoviště navrhovatele. Informace získané hloubkovým profilováním rozšíří zpětnou vazbu při optimalizaci depozičního procesu, cožpovede k lepším požadovaným vlastnostem vytvářených 2D nanostruktur. Motivací studia těchto struktur je detailní poznání a pochopení jevů GMR, TMR a vlastnosti "high-k" dielektrických ultratenkých vrstev.
Description in EnglishThe aim of the proposed project is to study (ultra-)thin films/multilayers (2D nanostructures) prepared by ion and molecular beam technologies and to apply and improve methods for in situ depth profiling by SIMS, TOF-LEIS and XPS methods combined with ion beam sputtering. Low energy primary ions (200-1500 eV) will be used for the depth profiling. Magnetic multilayers (Co/CoN, Ni/NiN, Co/Al2O3, ....), Ga a GaN (ultra)thin films and "high-k" dielectric films (ZrO2, HfO2, ...) will be studied. These 2D nanostructures have been deposited within the Research Plan of the proposer lab. Information gained by depth profiling will improve the feedback for the optimization of deposition processes and as a result of that will lead to better properties of fabricated 2D nanostructures. The principal motivation of the study of these structures is a detailed learning and understanding of GMR and TMR phenomena and properties of high-k dielectric ultra-thin films.
KeywordsSIMS, TOF-LEIS, XPS, iontové odprašování, hloubkové profilování, nanostruktury, ultratenké vrstvy
Key words in EnglishSIMS; TOF-LEIS; XPS; ion beam sputtering; depth profiling; nanostructures; ultrathin films
Mark
GP202/07/P486
Default language
Czech
People responsible
Bábor Petr, Ing., Ph.D. - principal person responsible
Units
Institute of Physical Engineering- (2007-01-01 - 2009-12-31)
Results
URBÁNEK, M.; UHLÍŘ, V.; BÁBOR, P.; KOLÍBALOVÁ, E.; HRNČÍŘ, T.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Focused ion beam fabrication of spintronic nanostructures: an optimization of the milling process. NANOTECHNOLOGY, 2010, vol. 21, no. 14, p. 145304-1 (145304-7 p.)ISSN: 0957-4484.Detail
BÁBOR, P.; DUDA, R.; PRŮŠA, S.; MATLOCHA, T.; KOLÍBAL, M.; KALOUSEK, R.; NEUMAN, J.; URBÁNEK, M.; ŠIKOLA, T. Mechanika iontů jako prostředek k analýze nanosvěta. Jemná mechanika a optika, 2009, roč. 54, č. 7-8, s. 209-214. ISSN: 0447-6441.Detail
MATLOCHA, T.; PRŮŠA, S.; KOLÍBAL, M.; BÁBOR, P.; PRIMETZHOFER, D.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. A study of a LEIS azimuthal scan behavior: Classical dynamics simulation. Surface Science, 2010, vol. 604, no. 21-22, p. 1906-1911. ISSN: 0039-6028.Detail
BÁBOR, P.; DUDA, R.; PRŮŠA, S.; MATLOCHA, T.; KOLÍBAL, M.; ČECHAL, J.; URBÁNEK, M.; ŠIKOLA, T. Depth resolution enhancement by combined DSIMS and TOF-LEIS profiling. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, 2011, vol. 269, no. 3, p. 369-373. ISSN: 0168-583X.Detail
PRŮŠA, S.; BÁBOR, P.; KOLÍBAL, M.; DUDA, R.; ŠIKOLA, T.: Zařízení SIMS TOF-LEIS; SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením. A2/518. URL: http://www.physics.fme.vutbr.cz/. (funkční vzorek)Detail
BÁBOR, P.; DUDA, R.; ŠIKOLA, T.; PAVERA, M.; POLČÁK, J.: Software pro SIMS, LEIS a XPS; IonProfile. Laboratoř 518. URL: http://physics.fme.vutbr.cz/ufi.php?Action=0&Id=1854. (software)Detail