Product detail

SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením

PRŮŠA, S. BÁBOR, P. KOLÍBAL, M. DUDA, R. ŠIKOLA, T.

Product type

funkční vzorek

Abstract

Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 - 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýze využívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod.

Keywords

Hloubkové profilování, SIMS, TOF, LEIS, tenké vrstvy; in situ analýza

Create date

20. 12. 2008

Location

A2/518

Possibilities of use

Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Licence fee

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

www