prof. Ing.

Jan Čechal

Ph.D.

CEITEC, RG-1-13 – Head

+420 54114 9274
jan.cechal@ceitec.vutbr.cz

Send BUT message

prof. Ing. Jan Čechal, Ph.D.

Výsledky s dopadem do praxe

  • 2005

    BONAVENTUROVÁ - ZRZAVECKÁ, O.; BRANDEJSOVÁ, E.; ČECHAL, J.; POTOČEK, M.; NEBOJSA, A.; NAVRÁTIL, K.; ŠIKOLA, T.; HUMLÍČEK, J. UV in-situ degradation of PMPSi analysed by spectroscopic ellipsometry, XPS and TDS. 1. Vienna: 2005. p. 294-294.
    Detail

    ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. A Study of Gallium Growth on Si(111) 7x7 by SRPES. 1. Vienna: 2005. p. 259-259.
    Detail

    VOBORNÝ, S.; MACH, J.; POTOČEK, M.; KOSTELNÍK, P.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Analysis of GaN Ultrathin Films grown by Direct Ion Beam Deposition. 1. Vienna: 2005. p. 117-117.
    Detail

    KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; TOMANEC, O.; POTOČEK, M.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; PLOJHAR, M.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; MARKIN, S.; BAUER, P.; ŠIKOLA, T. Application of ToF LEIS for Monitoring the growth and thermal treatment of Ga ultrathin films. 1. Vienna: 2005. p. 191-191.
    Detail

*) Citace se generují jednou za 24 hodin.