Projekt zaměřený na využití karbidu křemíku (SiC) v polovodičových aplikacích je v souladu s národními RIS3 strategiemi, které kladou důraz na podporu orientovaného a aplikovaného výzkumu a inovací v oblastech s vysokým potenciálem pro dlouhodobou konkurenční výhodu ČR s: (i) podporou inovací a technologického pokroku – zaměřením na pokročilé technologie, jako jsou laserové procesy s cíem snížení výrobních nákladů a spotřeby materiálů (soulad s cílem RIS3 strategie podporovat inovace a technologický pokrok), (ii) zaměření na klíčové oblasti - polovodičové aplikace, zejména v oblastech jako je elektromobilita a umělá inteligence, jsou klíčovými oblastmi s vysokým potenciálem pro ekonomický růst a konkurenceschopnost, (ii) efektivní využití zdrojů - zaměřením na efektivní využití zdrojů a snížení nákladů (souladu s cílem RIS3 strategie podporovat udržitelné a efektivní využívání zdrojů), (iv) podpora znalostní ekonomiky – VaV v oblasti SiC přispívá k rozvoji znalostní ekonomiky, s umocněním o rozvoj účelné spolupráce akademického a průmyslového VaV). Projekt přispívá k technologickému pokroku na světové úrovni a podporuje tak dlouhodobou konkurenceschopnost a udržitelnost s naplněním klíčových cílů národní RIS3 strategie.

Keywords
LASER;polovodiče;karbid křemíku;analytické metody;MOSFET;wafer

CZ.01.01.01/01/24_063/0006908

Czech

Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - principal person responsible
Bábor Petr, doc. Ing., Ph.D. - fellow researcher
Kolíbal Miroslav, prof. Ing., Ph.D. - fellow researcher

Fabrication and Characteris. of Nanostr.
- responsible department (14.3.2025 - not assigned)
Fabrication and Characteris. of Nanostr.
- beneficiary (14.3.2025 - not assigned)

Responsibility: Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc.