Na základě informací konzultanta ze zadavatelské firmy onsemi lze konstatovat následující:

    Jak vyplývá ze zadání diplomové práce, cílem bylo zaměřit se na studium a modelování vlivu WPE v technologii 65 nm. To zahrnovalo seznámení s problematikou vzniku tohoto jevu, jeho dopady a možnostmi jeho modelování. Dále bylo nutné navrhnout integrovaný testovací čip obsahující různé typy a kombinace struktur vhodných pro extrakci vlivu WPE na MOSFET součástky. Vyrobené struktury měly být následně měřeny přímo na křemíkové desce na různých místech čipu a získaná data statisticky vyhodnocena. Součástí práce mělo být také posouzení vlivu WPE na různé typy MOSFET tranzistorů v různých konfiguracích a identifikace rozdílů tohoto vlivu ve směru délky a šířky kanálu. V závěru měl být vliv WPE implementován do SPICE modelu MOSFET tranzistoru.
    Mohu konstatovat, že všechny body zadání diplomové práce byly splněny. Diplomant zvládl navrhnout testovací čip, který byl následně vyroben v technologii 65 nm ve výrobním závodě firmy onsemi v USA. Dále zvládl práci s náročnými nástroji pro obvodové simulace a parazitní extrakci. Všechna měření diplomant statisticky vyhodnotil, porovnal je se simulovanými daty a identifikoval rozdíl vlivu WPE ve směru délky a šířky kanálu pro čtyři různé MOSFET tranzistory. Nakonec implementoval vliv WPE do SPICE modelů tranzistorů a porovnal své extrahované modely s existujícími.
    Prezentační úroveň práce je na velmi dobré úrovni, přičemž výsledky jsou podány jasně a srozumitelně. Obrázky pomáhají k lepšímu porozumění řešené problematiky. Některé grafy mohou na první pohled působit méně přehledně, avšak vzhledem k jejich složitosti a úplnosti to nijak nesnižuje jejich informační hodnotu. Rozsah práce je přiměřený a adekvátně odpovídá řešené problematice. Diplomant v prvních kapitolách teoretické části prezentuje obecnou problematiku výroby polovodičových součástek a možná se tím zbytečně odklání od původního tématu. V dalších kapitolách se již podrobně věnuje vzniku a vlivu WPE. Následující kapitoly se pak zabývají dvěma typy modelování vlivu WPE, které se běžně v praxi používají.
    Praktická část nejprve detailně popisuje navrhnuté struktury na testovacím čipu a postup jejich měření. Následně jsou měřená data porovnána se simulacemi s existujícími modely. Nakonec diplomant prezentuje úpravy modelů, které navrhl, a porovnává je se stávajícími modely. Většina literatury, ze které diplomant čerpal a kterou cituje na konci diplomové práce, pochází z posledních let a je tedy velmi aktuální. Z prezentovaných grafů vyplývá, že diplomantem navržený model vykazuje vyšší přesnost. Návrhy a úpravy, které prezentoval, představují prakticky využitelný přínos pro firmu onsemi.
    Diplomant přistupoval k řešení zadaného úkolu velmi iniciativně a zodpovědně. V řešené problematice se dokázal v relativně krátké době zorientovat, důkladně prostudoval doporučené materiály a prokázal schopnost efektivní týmové spolupráce. Po celou dobu jeho stáže zároveň vykazoval vysokou míru zvídavosti a soustavný zájem o danou problematiku.
    Téma práce považuji za odborně náročné, a to jak z hlediska návrhu testovacích struktur, tak z hlediska vyhodnocení naměřených dat a následné implementace výsledků do modelu. Hodnotím tuto diplomovou práci 95 body ze 100 možných. Points proposed by supervisor: 95

Diplomová  práce pana Víta Buzka byla řešena pro potřebu společnosti onsemi.

Po seznámení s jevem označovaným jako Well Proximity Effect měl být prostudován jeho vliv na změnu parametrů vyráběných struktur MOSFET  a měly být zváženy možnosti úpravy stávajících modelú SPICE pro jeho zachycení. 
K tomuto účelu měl být navržen testovací čip s různými typy a kombinacemi struktur vhodných pro posouzení vlivu WPE na součástiky typu MOSFET a jeho případné omezení.  

Navržené struktury měly být proměřeny v celé ploše čipu, aby bylo možné posoudit vlivy různých konfigurací a parametrů MOSFET. Výsledky testování měly být implemetovány do modelu v programu SPICE. Naměřené výsledky a výsledky upraveného modelu SPICE měly být vzájemně porovnány.

Předložená diplomová práce má včetně seznamu literatury a seznamu zkratek 66 stran. Následuje 9 stran příloh s výsledky měření a simulací.  Je použito 21 odkazů na literaturu, které jsou citovány především v první polovině práce. 

Teoretický úvod zabírá přibližně první třetinu práce. Je zde přehledně vysvětlena  podstate technologie  iontové implantace včetně parazitních procesů.   

V praktické části práce oceňuji promyšlený návrh parametrů testování. Význam práce je také podtržen dostatečným množstvím testovaných tranzistorů rozložených v čípech po celé ploše křemíkové desky, takže výsledky mohly být statisticky zpracovány.  Měření bylo přitom velmi usnadněno použitím automatizovaného měřicího systému. Naměřené výsledky byly porovnány s výsledky získanými simulací na upravených modelech SPICE.  Bylo přitom dosaženo velmi dobré shody.

Zadání práce bylo v plném rozsahu splněno. Text práce je zpracován velmi pečlivě.  Výsledky měření i simulací jsou uspořádány přehledně a porovnání dosažených výsledků je tak velmi snadné.
Pan Vít Buzek prokázal, že je schopen samostatně vyřešit zadání technického charakteru.
Práci doporučuji k obhajobě. Topics for thesis defence:

1. 1) Pokuste se porovnat odolnost různých technologií přípravy struktur MOSFET proti jevu WPE. Jaká opatření jsou vhodná při zmenšování rozměrů těchto struktur?
2. 2) Pokuste se zhodnotit výhody a nevýhody rezistové masky pro implantaci příměsí.

Points proposed by reviewer: 100