Detail publikačního výsledku

Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET

PAVELKA, J.; ŠIKULA, J.; TACANO, M.; TOITA, M.

Original Title

Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET

English Title

Characteristics of RTS noise in MOSFETs

Type

Peer-reviewed article not indexed in WoS or Scopus

Original Abstract

Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je tvořen především složkami šumu typu 1/f a RTS. Článek se zabývá analýzou jejich závislosti na rozměrech kanálu a počtu nosičů náboje v něm a dále vlivu intenzity elektrického pole v kanálu na amplitudu RTS šumu. Na základě měření časové závislosti šumového napětí v širokém rozmezí teplot byly dále určeny základní parametry pastí.

English abstract

Low frequency noise in MOSFETs is given mainly by RTS and 1/f noise components. In this paper we present analysis of their dependence on the channel dimensions and number of charge carriers in it and also influence of electric field intensity in the channel on the RTS noise amplitude. By measurement of noise voltage time dependence in the wide temperature range we determined basic parameters of the traps.

Keywords

RTS šum, 1/f šum, MOSFET, pasti

Key words in English

RTS noise, 1/f noise, MOSFET, traps

Authors

PAVELKA, J.; ŠIKULA, J.; TACANO, M.; TOITA, M.

RIV year

2010

Released

08.12.2008

Publisher

IEEE

Location

Praha

ISBN

0037-668X

Periodical

Slaboproudý obzor

Volume

64

Number

3-4

State

Czech Republic

Pages from

5

Pages to

8

Pages count

4

Full text in the Digital Library

http://hdl.handle.net/

BibTex

@article{BUT47037,
  author="Jan {Pavelka} and Josef {Šikula} and Munecazu {Tacano} and Masato {Toita}",
  title="Charakteristiky RTS šumu v tranzistorech MOSFET",
  journal="Slaboproudý obzor",
  year="2008",
  volume="64",
  number="3-4",
  pages="5--8",
  issn="0037-668X"
}