Publication result detail

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

Dana Otevřelová

Original Title

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

English Title

Local spectroscopy of the semiconductor structure luminiscence

Type

Peer-reviewed article not indexed in WoS or Scopus

Original Abstract

Článek pojednává o prostorovém rozlišení fotoluminiscence (PL) na vnořených samoorganizovaných kvantových tečkách. Pro rozlišení jednotlivých kvantových teček je použit rastrovací tunelový mikroskop v optickém blízkém poli (SNOM). Takto můžeme získat fotoluminiscenční obrazy skrytých kvantových děr s prostorovým rozlišením lepším než 250 nm. Výsledky jsou nezávislé na použité vlnové délce světelného zdroje. PL intenzita je hlavní složkou pro spojení nepokoveného vláknového hrotu s luminiscenční kvantovou dírou a má exponenciální úbytek se skenovací vzdáleností vzorku. Při vyhodnocování obrazu jsou oddělovány příspěvky PL intenzity blízkého a vzdáleného pole.

English abstract

The paper deals with the spatial resolution of the photoluminescence on the burried quantum dots using SNOM. Due to this device on can obtain a resolution better than 250 nm. The results are wavelenght independent. During the study the contributions of far field and near field PL have been separated.

Key words in English

local photoluminescence, burried quantum dots, near field optics

Authors

Dana Otevřelová

Released

01.02.2003

ISBN

0009-0700

Periodical

Československý časopis pro fyziku

Volume

53

Number

2

State

Czech Republic

Pages from

117

Pages count

3

BibTex

@article{BUT45707,
  author="Dana {Otevřelová}",
  title="Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur",
  journal="Československý časopis pro fyziku",
  year="2003",
  volume="53",
  number="2",
  pages="3",
  issn="0009-0700"
}