Publication result detail

Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu

RECMAN, M.

Original Title

Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu

English Title

Simulation of quantization effects using van Dort model

Type

Paper in proceedings (conference paper)

Original Abstract

Se zmenšováním základních strukturálních rozměrů MOSFE tranzistorů se zvýrazňuje vlnový charakter nosičů náboje a pro přesnou simulaci krátkokanálových tranzistorů je potřeba v rámci strukturních simulátorů vhodně modelovat celou řadu kvantových jevů. Příspěvek se zabývá TCAD simulací kvantových korekcí v kanálu struktury NMOSFET. Je aplikován fenomenologický van Dortův model, který modeluje prostorové kvantizační jevy v kanálu zvětšením efektivní šířky zakázaného pásu v oblasti vysoké intenzity elektrického pole pod hradlovým oxidem. Je popsán způsob aktivace modelu v programu DESSIS, způsob extrakce přírůstku prahového napětí a poklesu podprahového proudu v důsledku zahrnutí kvantizačních jevů. Simulace jsou provedeny v rámci GENESISe, jsou využity strukturní editor MDRAW, strukturní simulátor DESSIS a posprocesory TECPLOT a INSPECT pro zobrazení struktur a extrakci parametrů.

English abstract

desc. in English

Keywords

Strukturní simulace, Elektrická simulace, Identifikace parametrů, Modelování polovodičových struktur, Extrakce parametrů, 2D, Prahové napětí, Podprahový proud, Jevy krátkého kanálu, MOSFET, Kvantizační jevy, Van Dortův model

Key words in English

Device simulation,

Authors

RECMAN, M.

Released

01.01.2007

Publisher

Nakl. Novotný

Location

Brno

ISBN

978-80-214-3534-6

Book

MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007

Pages from

56

Pages count

5

Full text in the Digital Library

http://hdl.handle.net/

BibTex

@inproceedings{BUT25398,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace kvantizačních jevů s využitím van Dortova modelu",
  booktitle="MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích.. Seminář o výsledcích výzkumného záměru MSM 0021630503 v roce 2007. Sborník příspěvků. Nakl. Novotný, Brno 2007",
  year="2007",
  pages="5",
  publisher="Nakl. Novotný",
  address="Brno",
  isbn="978-80-214-3534-6"
}