Publication result detail

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

KOKTAVÝ, P.; KOKTAVÝ, B.

Original Title

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

English Title

Physical Description of Luminescent GaAsP Diodes

Type

Paper in proceedings (conference paper)

Original Abstract

V práci je uveden základní fyzikální popis a technologie přípravy luminiscenčních GaAsP diod s ohledem na využití při studiu lokálních nestabilit v mikroplazmatických oblastech PN přechodu, které vznikají v důsledku nehomogenit PN přechodů.

English abstract

The paper deals basic main description of luminescent GaAsP diodes.

Key words in English

LED diode, PN junction, Microplasma, GaAsP

Authors

KOKTAVÝ, P.; KOKTAVÝ, B.

Released

29.11.2006

Publisher

Brno University of Technology

Location

Brno

ISBN

80-7204-487-7

Book

Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise

Pages from

55

Pages to

58

Pages count

4

BibTex

@inproceedings{BUT22101,
  author="Pavel {Koktavý} and Bohumil {Koktavý}",
  title="Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod",
  booktitle="Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise",
  year="2006",
  pages="55--58",
  publisher="Brno University of Technology",
  address="Brno",
  isbn="80-7204-487-7"
}