šumové fluktuace v MOSFET strukturách

Noise fluctuation in MOSFET structures

conference paper

Czech

V průběhu posledních let bylo prokázáno, že zejména elektronické součástky na bázi polovodičů jsou zdroji proudových či napěťových fluktuací. Oblasti přechodu PN i homogenní polovodiče jsou zdroji mnoha typů šumu, který vzniká na nežádoucích defektech ve struktuře monokrystalu nebo technologickou nedokonalostí při přípravě přechodu PN. V oblasti diagnostiky materiálů a součástek existuje řada metod. Šumové diagnostické metody vycházejí ze skutečnosti, že transport nosičů náboje, vyzařování a pohlcování světla a další procesy, probíhající při vedení proudu v materiálech a součástkách jsou stochastické povahy a projevují se fluktuací proudu, napětí a dalších veličin např. odporu či kapacity a v případech laserů či luminiscenčních diod též jako fluktuace světelného toku. Statistické charakteristiky těchto fluktuací přinášejí další cenné informace o procesech, probíhajících ve sledovaných soustavách a doplňují tak střední hodnoty makroskopických veličin. Při vyhodnocování statistických závislosti jsou důležité průběhy korelační funkce nebo výkonová spektrální hustota fluktuující veličiny a další charakteristiky, jako je např. hustota rozdělení sledovaného náhodného procesu, které dávají další možnosti k získávání informací o fluktuacích a jejich návaznosti na definování kritérií pro tvorbu nedestruktivních diagnostických testů.

Over the last years was established, that mostly semiconductor electronic devices are sources of current and voltage fluctuations. Not only the vicinity of PN junctions but also homogenous semiconductors are sources of many type of noises. Origin of those sources are defects in structure or devects in the vicinity of PN jubctions. There are several methods in the range of non-destructive testing of electronic components. Methods of noise spectroscopy appear from the fact, that transport of carriers and other processes are stochastic, this fact is in macroscopic point of view expressed as mostly current or voltage fluctuations. Statistical characteristics of those fluctuations bring us worthy informations about processes running in observed systems and complete the mena square values of macroscopical quantities.

Noise in semiconductors, current and voltage fluctuation, submicron MOSFET strucutre, noise measurement set-up

HAVRÁNEK, J.

2006

20. 1. 2006

VUT Brno

Brno

80-7355-062-8

Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

89

183

95