Paměťový prvek pro uložení n-bitového kódu

Memory element for storing n-bit code

Utility model

Paměťový prvek je tvořený fotochemickým článkem pro generování fotoproudu dopadajícím UV zářením. Fotochemický článek zahrnuje nosný podklad, na kterém je uspořádána soustava elektrod obklopená gelovým elektrolytem, a každá z elektrod je opatřena výstupním kontaktem vyvedeným na povrch nosného podkladu. Podstata technického řešení spočívá v tom, že soustava elektrod je tvořena tiskovou vrstvou uspořádanou na nosném podkladu a gelový elektrolyt je tvořen tiskovou vrstvou překrývající elektrody. Soustava elektrod zahrnuje jednu společnou katodu, jednu referenční fotoanodu opatřenou polovodičovou vrstvou tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu referenční fotoanody a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Ir, a alespoň jednu měřící fotoanodu opatřenou polovodičovou vrstvou tvořenou tiskovou vrstvou uspořádanou na povrchu měřící fotoanody a generující po dopadu UV záření výstupní fotoproud Im. Pro výstupní proudy referenční fotoanody a měřící fotoanody platí Ir . Im a hodnoty výstupních fotoproudů Im z měřících fotoanod tvoří signál nesoucí n-bitový kód generovaný paměťovým prvkem. Paměťový prvek tedy obsahuje společnou katodu a jednu nebo několik fotoanod pokrytých polovodičovými vrstvami, které tvoří jednotlivé pozice výsledného kódu (P). Každá pozice potom poskytuje několik úrovní signálu (S) v závislosti na svých vlastnostech, např. míra zatlumení dopadajícího UV záření, či množství polovodiče v polovodičové vrstvě, určující hodnotu signálu dané proměnné pozice. Celkový počet možných kombinací, resp. počet realizovatelných kódů, je tedy n = PS. Celá soustava elektrod je pak zapojena do elektrického obvodu, ve kterém je dále zapojen napájecí zdroj a vyhodnocovací čip. Celý obvod tak umožňuje měřit změny fotoproudu v jednotlivých fotoanodách, tj. proměnných pozicích kódu, po excitaci UV zářením a následně tak vyhodnotit jejich hodnotu, a tak přečíst uložený kód.

The memory element is formed by a photochemical cell for generating photocurrent by incident UV radiation. The photochemical cell comprises a support substrate on which a plurality of electrodes surrounded by a gel electrolyte is disposed and each of the electrodes is provided with an output contact extending to the surface of the support substrate. The essence of the invention lies in the fact that the electrode system consists of a printing layer arranged on a carrier substrate and the gel electrolyte is formed by a printing layer overlapping electrodes. The electrode assembly comprises one common cathode, one reference photoanode provided with a semiconductor layer formed by a printing layer disposed on the reference surface photoanodes and generating an output photocurrent Ir, and at least one measurement, after UV radiation a photoanode provided with a semiconductor layer formed by a printing layer disposed on the surface measuring photoanodes and generating output photocurrent Im after UV radiation Im. For output currents reference photoanodes and measuring photoanodes apply Ir. Im and photocurrent values ​​Im from the measuring photoanodes they form a signal carrying the n-bit code generated by the memory element. Thus, the memory element comprises a common cathode and one or more photoanodes coated semiconductor layers, which form the individual positions of the resulting code (P). Every position it then provides several signal levels (S) depending on its characteristics, eg rate damping of incident UV radiation, or the amount of semiconductor in the semiconductor layer, determines the signal value of the given position variable. The total number of possible combinations, respectively. number therefore, it is n = PS. The whole set of electrodes is then connected to the electrical circuit in which the power supply and the evaluation chip are further connected. The entire circuit thus allows Measure photocurrent changes in individual photoanodes, ie variable code positions, after excitation UV radiation and then evaluate their value and read the stored code.

paměťový prvek, materiálový tisk, tištěná elektronika, fotoelektrochemický článek

memory element, material printing, printed electronics, photoelectrochemical cell

33289

06.11.2018

15.10.2019

06.11.2022

Ústav chemických procesů AV ČR, v. v. i., Praha 6, Lysolaje, CZ Centrum organické chemie s.r.o., Rybitví, CZ Vysoké učení technické v Brně, Brno, Veveří, CZ

In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license

https://isdv.upv.cz/doc/FullFiles/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0033/uv033289.pdf