Analogová obvodová realizace matematického modelu více stavové statické paměti

Analog circuit realization of mathematical model of multi-valued static memory cell

Functioning sample

Jedná se o dvě dynamicky ekvivalentní plně analogové realizace matematického modelu vícehodnotové paměťové buňky v zapojení se dvěma rezonančními tunelovými diodami. Ampér voltové charakteristiky těchto diod jsou zobecněny a aproximovány po částech lineárními úseky se dvěma zlomy a negativními imitančními konvertory. Hodnoty napětí definující zlomové body jsou na funkčním vzorku odvozeny z napájecích napětí. Obě struktury byly verifikovány detailním měřením, přičemž se potvrdila existence strukturálně stabilních podivných atraktorů.

It is a pair of fully analog realizations of a mathematical model describing multiple-valued memory cell employing two resonant tunneling diodes. Ampere voltage characteristics of these diodes are generalized and approximated by the piecewise linear segments having two breakpoints and the negative immittance converters. Speaking in terms of functional example, values of these breakpoints are derived from the supply voltages. Both designed circuits were verified by detailed measurement; doing so existence of the structurally stable strange attractors was proved.

dynamical system, chaos, nonlinear dynamics, static memory

dynamical system, chaos, nonlinear dynamics, static memory

UREL FEKT VUT, Technická 12, místnost SD6.77

In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license

https://www.urel.feec.vutbr.cz/web_documents/produkty/2017/Petrzela_fractal_software_CZ.pdf

SVK_2018_07_UREL_FEKT_VUT_cz