Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Publication result detail
ELHADIDY, H.; GRILL, R.; FRANC, J.; ŠIK, O.; MORAVEC, P.; SCHNEEWEISS, O.
Original Title
Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure
English Title
Type
WoS Article
Original Abstract
Byly měřeny proudové přechody u struktury Schottkyho struktury kov-polovodič-kov. Vytvořili jsme nový model objas ňující proudový přechod jakožrto důsledek migracie iontových defektů. Byly stanoveny hustoty donorů, akceptorů a difuzní koeficienty iontových příměsí. Model je ověřen měřenním změny odporu materiálu v čase. Byla zaznamenána velmi nízká tendence návratu rezistivity v čase.
English abstract
We measured current transients (TC) in Schottky M–S–M (Au–CdTe–Au) structure. We developed a new model to explain TC by electromigration of charged ion defects. The acceptor, donor densities and the diffusion coefficients of ions were extracted. The model is confirmed by measuring the depletion region resistance with time. There was very weak tendency of the sample resistivity to revert to initial conditions.
Keywords
Cdte, schottky contacts, electromigration
Key words in English
Cdte, Schottkyho kontakty, elektromigrace
Authors
RIV year
2016
Released
01.06.2015
Publisher
Elsevier
Location
Holland
ISBN
0167-2738
Periodical
SOLID STATE IONICS
Volume
277
Number
27
State
Kingdom of the Netherlands
Pages from
20
Pages to
25
Pages count
6
URL
http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167273815001836
BibTex
@article{BUT114374, author="Hassan {Elhadidy} and Roman {Grill} and Jan {Franc} and Ondřej {Šik} and Pavel {Moravec} and Oldřich {Schneeweiss}", title="Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure", journal="SOLID STATE IONICS", year="2015", volume="277", number="27", pages="20--25", doi="10.1016/j.ssi.2015.04.016", issn="0167-2738", url="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167273815001836" }