Nízkonapěťový nízkopříkonový CMOS BD-QFG DD (Bulk-Driven Quasi-Floating-Gate Differential Difference) zesilovač

Low-voltage low-power BD-QFG DDA

Functioning sample

Byla navržena nová CMOS struktura zesilovače typu DD (differential difference), který je schopen pracovat při nízkém napájecím napětí 1V. Tato struktura využívá novou techniku BD-QFG (bulk-driven quasi-floating-gate) k dosažení schopnosti provozu při velmi nízkém napájecím napětím a k dosažení většího rozsahu vstupního napětí. Navrhovaný BD-QFG DDA je vhodný pro aplikace vyžadující nízké napájecí napětí a nízké výkonové spotřeby. Obvod je navržen pro napájecí napětí 1 V a jeho spotřeba je pouze 37,4 uW. Obvod byl navržen a simulován pomocí 0,35 um AMIS CMOS technologie a výsledky simulace prokázaly funkčnost a atraktivní výsledky obvodů.

New CMOS structure for the differential difference amplifier (DDA) accomplished to work in sub-volt area has been designed. This structure employs the bulk-driven quasi-floating-gate (BD-QFG) technique to achieve the capability of ultra-low voltage operation and extended input voltage range. The proposed BD-QFG DDA is suitable for ultra-low-voltage low-power applications. The circuit is designed with a voltage supply 1 V and consumes only 37.4 uW. The proposed circuits were simulated by 0.35 um AMIS CMOS technology and the simulation results prove the functionality and attractive results of the circuits.

integrated circuits

integrated circuits

UMEL, T10/6.27

only the provider uses the result

Use of the result by another entity is possible without acquiring a license (the result is not licensed)

http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/