Publication detail

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů

MIKA, F. FRANK, L.

Original Title

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů

English Title

Quantitative study of density function of doped areas in semiconductors by emission of SE.

Type

conference paper

Language

Czech

Original Abstract

Tématem práce je studium polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.

English abstract

The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.

Key words in English

low energy SEM, imaging of the born doping in silicon, SE emission

Authors

MIKA, F.; FRANK, L.

Released

16. 12. 2002

Publisher

UPT AV ČR, Brno

Location

BRNO

ISBN

80-238-9915-5

Book

Sborník prací prezentovaných na semináři doktorandů oboru Elektronová optika

Edition number

1

Pages from

23

Pages to

24

Pages count

2

BibTex

@inproceedings{BUT5173,
  author="Filip {Mika} and Luděk {Frank}",
  title="Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů",
  booktitle="Sborník prací prezentovaných na semináři doktorandů oboru Elektronová optika",
  year="2002",
  number="1",
  pages="2",
  publisher="UPT AV ČR, Brno",
  address="BRNO",
  isbn="80-238-9915-5"
}