Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Publication detail
MIKA, F. FRANK, L.
Original Title
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů
English Title
Quantitative study of density function of doped areas in semiconductors by emission of SE.
Type
conference paper
Language
Czech
Original Abstract
Tématem práce je studium polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.
English abstract
The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.
Key words in English
low energy SEM, imaging of the born doping in silicon, SE emission
Authors
MIKA, F.; FRANK, L.
Released
16. 12. 2002
Publisher
UPT AV ČR, Brno
Location
BRNO
ISBN
80-238-9915-5
Book
Sborník prací prezentovaných na semináři doktorandů oboru Elektronová optika
Edition number
1
Pages from
23
Pages to
24
Pages count
2
BibTex
@inproceedings{BUT5173, author="Filip {Mika} and Luděk {Frank}", title="Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů", booktitle="Sborník prací prezentovaných na semináři doktorandů oboru Elektronová optika", year="2002", number="1", pages="2", publisher="UPT AV ČR, Brno", address="BRNO", isbn="80-238-9915-5" }