Publication detail

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE

MIKA, F. FRANK, L.

Original Title

Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE

English Title

Quantitative study of density function of doped areas in semiconductors by emission of SE

Type

conference paper

Language

Czech

Original Abstract

Práce je zaměřena na studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.

English abstract

The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.

Key words in English

low energy SEM, imaging of the born doping in silicon, SE emission

Authors

MIKA, F.; FRANK, L.

Released

30. 1. 2004

Location

Brno

ISBN

80-239-2268-8

Book

PDS 2003

Pages from

39

Pages to

42

Pages count

4

BibTex

@inproceedings{BUT11007,
  author="Filip {Mika} and Luděk {Frank}",
  title="Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE",
  booktitle="PDS 2003",
  year="2004",
  pages="4",
  address="Brno",
  isbn="80-239-2268-8"
}