Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Publication detail
MIKA, F. FRANK, L.
Original Title
Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE
English Title
Quantitative study of density function of doped areas in semiconductors by emission of SE
Type
conference paper
Language
Czech
Original Abstract
Práce je zaměřena na studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí.
English abstract
The topic of work is study of semiconductor structure with defined doped areas by SEM with slow electrons, under ultra-high vacuum and standard vacuum conditions.The aim is to find optimal conditions of imaging doped areas and find out the dependence between contrast and doping density.
Key words in English
low energy SEM, imaging of the born doping in silicon, SE emission
Authors
MIKA, F.; FRANK, L.
Released
30. 1. 2004
Location
Brno
ISBN
80-239-2268-8
Book
PDS 2003
Pages from
39
Pages to
42
Pages count
4
BibTex
@inproceedings{BUT11007, author="Filip {Mika} and Luděk {Frank}", title="Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise SE", booktitle="PDS 2003", year="2004", pages="4", address="Brno", isbn="80-239-2268-8" }