Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail aplikovaného výsledku
GÖTTHANS, T.; DŘÍNOVSKÝ, J.; PETRŽELA, J.; ŠOTNER, R.; KRATOCHVÍL, T.
Originální název
Program pro automatizovanou pro lokalizaci prasklin zatížených tranzistorových buněk
Anglický název
Software for automated localization of die silicon cracks of loaded transistor cells
Druh
Software
Abstrakt
Program vznikl v prostredí LABVIEW. Primárne je urcen k merení výkonových MOS tranzistorových bunek poskytnutý spolecností ONN Belgium. Program ovládá pres GPIB, Ethernet, PCI-e a USB generátor pulzu (s nastavitelným napetím, strídou, polaritou), dále cítac pulzu, dva napetové zdroje, vysokorychlostní akvizicní jednotku a HD kameru pripojenou k mikroskopu. Program namerená data zaznamenává do souboru Excel pro následnou analýzu. Kvalita obrazu z kamery je vylepšena zprumerováním 100 obrazu.
Abstrakt anglicky
The software was created in LabVIEW environment. It is primarily intended to measure the power MOS transistor cells, supplied by ONN Belgium. The program operates via GPIB, Ethernet, PCI-e and USB pulse generator (with adjustable voltage, duty cycle, polarity), as well as a counter, two voltage source, a high-speed acquisition unit and HD camera connected to the microscope. The program records the measured data to an Excel file for further analysis. The picture quality of the camera is improved by averaging 100 images.
Klíčová slova
Labview, praskliny, power cell,
Klíčová slova anglicky
Labview, cracs, powercell
Umístění
Ústav Radioelektroniky, FEKT VUT v Brně, Technická 3082/12
Licenční poplatek
K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
www
http://www.urel.feec.vutbr.cz/web_documents/software/2015/Gotthans_NANOCOPS_SW_CZ.pdf