Detail aplikovaného výsledku

Program pro automatizovanou pro lokalizaci prasklin zatížených tranzistorových buněk

GÖTTHANS, T.; DŘÍNOVSKÝ, J.; PETRŽELA, J.; ŠOTNER, R.; KRATOCHVÍL, T.

Originální název

Program pro automatizovanou pro lokalizaci prasklin zatížených tranzistorových buněk

Anglický název

Software for automated localization of die silicon cracks of loaded transistor cells

Druh

Software

Abstrakt

Program vznikl v prostredí LABVIEW. Primárne je urcen k merení výkonových MOS tranzistorových bunek poskytnutý spolecností ONN Belgium. Program ovládá pres GPIB, Ethernet, PCI-e a USB generátor pulzu (s nastavitelným napetím, strídou, polaritou), dále cítac pulzu, dva napetové zdroje, vysokorychlostní akvizicní jednotku a HD kameru pripojenou k mikroskopu. Program namerená data zaznamenává do souboru Excel pro následnou analýzu. Kvalita obrazu z kamery je vylepšena zprumerováním 100 obrazu.

Abstrakt anglicky

The software was created in LabVIEW environment. It is primarily intended to measure the power MOS transistor cells, supplied by ONN Belgium. The program operates via GPIB, Ethernet, PCI-e and USB pulse generator (with adjustable voltage, duty cycle, polarity), as well as a counter, two voltage source, a high-speed acquisition unit and HD camera connected to the microscope. The program records the measured data to an Excel file for further analysis. The picture quality of the camera is improved by averaging 100 images.

Klíčová slova

Labview, praskliny, power cell,

Klíčová slova anglicky

Labview, cracs, powercell

Umístění

Ústav Radioelektroniky, FEKT VUT v Brně, Technická 3082/12

Licenční poplatek

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

www