Studentka se v rámci diplomové práce aktivně podílela na realizaci experimentů směřujících k přípravě grafenových nanostruktur ovlivněných atomárním vodíkem vhodných k přípravě polem řízených tranzistorů. V rámci diplomové práce byly litografickou metodou připraveny zlaté elektrody, které při pokrytí CVD grafenem umožnily dvou bodovou metodou měření jeho transportních vlastností. Měření bylo prováděno zejména v UHV podmínkách, kde byla také studována interakce grafenu s atomy vodíku. Takto modifikované vrstvy byly také studovány užitím metod SEM, a Ramanovou spektroskopií. Výsledky budou využity při dalším studiu modifikovaných grafenových vrstev. Práce studentky byla intenzivní, samostatná a přesahovala rámec zadání. Proto lze konstatovat, že studentka splnil všechny úkoly zadání. Projevovala nadměrný zájem o danou problematiku a při práci si počínala snaživě.

Diplomová práce popisuje studium hydrogenace grafénu a následnou stabilitu při expozici elektronovému svazku. První část je věnována popisu vlastností grafénu, jeho přípravy a možné modifikací vodíkovými atomy. V další části je uveden princip Ramanovy spektroskopie se zdůrazněním popisu Ramanova spektra grafénu. Dále následuje popis metody přípravy vzorků grafénu a experimentální část shrnující pozorované vlastnosti hydrogenovaného grafénu. 
Úvodní a rešeršní část práce je sepsaná pečlivě a srozumitelně s nadhledem potvrzujícím dobré porozumění problematiky autorkou. V experimentální části oceňuji popis problémů s přípravou vzorků (nekvalitní SiO2 vrstva od komerčního dodavatele, porušování oxidové vrstvy Wire Bonderem) a jejich vyřešení vlastními silami.  Kromě mírně chaotického značení sub-obrázků v Obr. 6.5 práce obsahuje minimum formálních a gramatických chyb. Závěr výstižně a srozumitelně shrnuje obsah a dosažené výsledky práce. Popsané výsledky naplňují zadání práce. Z výše uvedených důvodů doporučuji práci k obhajobě. Otázky k obhajobě:

1. 1. V popisu Ramanova spektra grafénu (kapitola 3.1) je zmiňovaná excitace elektronu z valenčního do vodivostního pásu, což je přinejmenším zavádějící tvrzení. Ramanův rozptyl je obecně popisován excitací mezi základní a virtuální hladinou, které zahrnují např. i vibrační stavy vazeb mezi atomy. Může autorka podat k danému tématu krátký komentář?
2. 2. Na Ramanových mapách v obrázku 6.5 jsou jak intenzita (obsah pod pásem) D pásu tak i poměr D/G odlišné na zlatých elektrodách oproti grafénu mimo elektrody. Proč? Znamená to, že je grafén na zlatě kvalitnější?
3. 3. V úvodu je zmíněna motivace výzkumu jako úprava struktury energetických hladin grafénu pro vysokofrekvenční tranzistory. Jaké jsou možnosti takového uplatnění hydrogenovaného grafénu, když se s hydrogenací zvyšuje jeho elektrický odpor a snižuje se pohyblivost nosičů náboje?