V rámci bakalářské práce se student zabýval možnostmi neutralizace nevodivých substrátů v komplexní aparatuře využívané na Ústavu fyzikálního inženýrství ke studiu povrchů a tenkých vrstev. Iontově-svazkové metody používané v laboratoři pro přípravu ultratenkých GaN  vrstev způsobují nabíjení substrátů. Pokud nemůže být náboj z povrchu vzorku odváděn, rostoucí náboj brání dalším iontům v dopadu na substrát a na povrchu se tak vytváří kovová vrstva Ga s velmi malým obsahem GaN vazeb. Cílem práce bylo vyzkoušet několik odlišných technických řešení paletek používaných v laboratoři jako držáky vzorků ve vakuových komorách tak, aby sloužily zároveň jako zdroj elektronů, neutralizující náboj hromaděný na nevodivých substrátech.  Jedná se o levnou alternativu k v současnosti používaným elektronovým neutralizačním zdrojům „Flood gun“. Byly testovány celkem tři konfigurace paletek, změřeny jejich parametry a jejich funkce byla následně ověřena při depozici gallium-nitridových vrstev na sklo. Dosažené výsledky ukázaly některé problémy zejména s nehomogenitou vytvářených vrstev, nespolehlivostí kontaktů manipulátoru, nanášením depozitů na izolační keramiky a další, které jsou v práci detailně popsány. Z výsledků depozice GaN vrstev na sklo je však zřejmé, že k neutralizaci kladného povrchového náboje do značné míry docházelo a XPS analýza prokázala zvýšený obsah GaN vazeb. Neutralizace byla zároveň s úspěchem použita při analýze v XPS komoře, kde vyrážené fotoelektrony z nevodivých substrátů rovněž způsobují kladné nabíjení povrchu vrstvy. Při práci si student počínal svědomitě, provedl samostatně technický návrh všech paletek a také je otestoval. Práci by bylo vhodné doplnit porovnáním výsledků depozice provedené bez a s neutralizací a dále depozicí vrstev na reálné nevodivé substráty (safír, SiC), které v době dokončování práce nebyly v dostatečném množství  k dispozici. Práce byla rovněž ovlivněna opakovanou závadou na manipulátoru, která brzdila a také omezila závěrečné experimenty. Přes tyto technické problémy se podařilo splnit všechny body zadání a v případě paletky pro přímý ohřev sestavit a ověřit dvě varianty technického řešení – s ohřevem pomocí PBN tělíska a přímým ohřevem pomocí křemíkové podložky. Z těchto důvodů práci doporučuji k obhajobě a hodnotím ji stupněm A.

Cílem této práce bylo dosáhnout možnosti přípravy GaN vrstev na nevodivých materiálech. Teoretická část práce se zabývá využitím iontových svazků při depozici GaN a možnostmi neutralizace nevodivých substrátů. Další část diskutuje provedený návrh elektronové neutralizace u tří stávajících druhů paletek. Z textu jednoznačně nevyplývá, zda stávající paletky bylo třeba zásadním způsobem překonstruovat nebo byly doplněny jen o neutralizační wolframové vlákno. V této části jsou popsány experimenty, kde byl měřen emisní proud a teplota substrátů v závislosti na různých parametrech. V kapitole 3.3.3 je uvedeno, že byly provedeny simulace neutralizace v programu SIMION, ale nejsou zde uvedeny grafické výsledky, jako tomu je u převzaté simulace v programu EOD. Poslední část práce pojednává o provedených depozicích GaN s upravenými paletkami a jsou zde diskutovány výhody a nevýhody jednotlivých paletek a jejich vliv na depozici. Popis principů metody XPS zde uvedených by bylo vhodnější umístit do teoretické části práce. Přes výše uvedené nedostatky je práce zpracována pečlivě bez závažnějších nedostatků a proto tuto práci hodnotím stupněm A.

Připomínky k textu:
V první části práce je opakovaně nevhodně uveden odkaz na literaturu za tečkou na konci věty.
Na str. 9 je věta: „Směr toku částic opouštějících povrch galia v různých směrech závisí … na kosinu úhlu …“, která nedává smysl.
Na straně 12 je použito nevhodné slovo „ve waferech“.
Str. 29. – ve zkratce CPS „C“ neznačí „collisions“, ale „counts“. Otázky k obhajobě:

1. Na obr 3.8 je uvedena závislost teploty PBN tělesa na velikosti proudu jím procházejícím. V textu je uvedeno, že od určité hodnoty proudu je možné považovat závislost za téměř lineární. Co způsobuje nelinearitu této závislosti?