Cílem bakalářské práce Miroslava Knotka bylo ověřit možnosti selektivního růstu GaN krystalů na křemíkové, litograficky upravené substráty. V rámci práce byl testován organický rezist PMMA a anorganický rezist HSQ, který má vysokou teplotní odolnost a je možné ho tedy používat v oblastech teplot kolem 300°C, při kterých dochází ke shlukování gallia migrujícího po povrchu vzorku a růstu větších krystalů GaN.
Student prokázal samostatnost při přípravě litograficky upravených substrátů pro depozici, kdy si dokázal rychle osvojit poměrně obtížnou techniku přípravy struktur pomocí na ústavu dosud nevyzkoušeného HSQ rezistu. Zde dokázal samostatně v krátké době nalézt optimální expoziční parametry elektronového mikroskopu, přestože byly značně odlišné od v literatuře uváděných hodnot. Je jen škoda, že nebylo možné vyzkoušet přípravu substrátů na mikroskopu LYRA, který má vyšší rozlišení než použitý mikroskop VEGA. Trošku větší samostatnost bych snad očekával při vedení depozičních experimentů se selektivním růstem GaN.
Hlavní výsledek, tedy dosažení selektivního růstu GaN na litograficky připravených substrátech, byl tedy splněn. Provedené experimenty ukazují na nezbytnost velmi dobré kontroly teploty substrátu při depozici. Při zpracování naměřených výsledků student projevil samostatnost a schopnost interpretace dosažených výsledků. Práci studenta hodnotím výsledným stupněm A.

Bakalářská práce se zabývá selektivním růstem Ga a GaN ultratenkých vrstev připravených v podmínkách ultravysokého vakua (UHV) rostených užitím atomárních a iontových svazků (IBD) na površích modifikovaných pomocí elektronové litografie. V první kapitole je stručně popsána základní problematika růstu ultratenkých vrstev. Autor se zabývá základními procesy odehrávající se na povrchu během depozice. Kapitola je přehledně členěná, nicméně často se jedná spíše o výčet pojmů. Literatura je citována náhodně a ne v pořadí jak se vyskytuje v textu. Navíc odkazy na odporné problematiky nejsou citovány na původní autory, ale na práce, které s literaturou pracují, například citace na str. 6. [11], na str. 7 [2,3]. Na straně 5 není definován pojem střední volné dráhy. Na téže straně je pojem ultravysoké psáno zvlášť.
Druhá kapitola práce je věnována samotné přípravě GaN a jeho vlastnostem. V tabulce 2.1, kde autor uvádí souhrn základních fyzikálních vlastností GaN, nejsou uvedeny jednotky u teploty tání. Dále zde autor nerozlišuje mezi měrnou elektrickou vodivostí a elektrickou vodivostí. V kapitole je pár nepřesností zejména, kdy autor pracuje s pojmy atomy, molekuly a ionty. Nicméně kapitola stručně a přehledně čtenáře zavadí do problematiky depozice tenkých vrstev Ga a GaN prováděných na ústavu fyzikálního inženýrství.
Třetí kapitola je věnována problematice rezistů. Autor přehledně uvádí čtenáře do problematiky rezistů a jejich vlastností při nanášení. Na obrázku 3.2 jsou popisy os v anglickém jazyce. Bohužel nepřeložených výrazu je v textu více.
Kapitola 4 je věnována popisu samotných experimentů. Zde mohl autor vice popsat uspřádání experimentu, případně jej doplnit o názorný obrázek. Na str. 22 v obrázku chybí měřítko. V popisu jednotlivých depozic není čtenáři úplně zřejmé, které parametry depozic byly měněny. Uvítal bych přehledovou tabulku shrnující všechny experimenty a jejich parametry.V textu u jednotlivých experimentů autor uvádí výkon ohřevu a proud vzorkem. Není provedena žadná kalibrace ani polemika nad měřením teploty vzorku. 
I přes drobné nesrovnalosti, především ve formálním zpracování, hodnotím práci za zdařilou. Student musel řešit množství zajímavých problémů spojených se samotným nanášením rezistu, návrhem litografických struktur, tak i provedením depozic. Experimentální část práce je optimálního rozsahu. Pozitivně hodnotím výsledky celé práce a samotné realizovaní selektivního růstu. Student splnil všechny úkoly zadání bohužel práce postráda podrobnější rešeršní studii na téma selektivního růst GaN, která je v zadání bakalářské práce. Z těchto důvodů doporučuji bakalářskou práci k obhajobě, a pokud student odpoví na doplňující dotazy, navrhuji hodnocení stupněm B. Otázky k obhajobě:

1. Proveďte rešeršní studii na téma selektivního růstu se zaměřením na GaN a uveďte nejzajímavější dosažené výsledky.
2. Jaká je střední volná dráha při tlaku 1*10-8 Pa, 1*10-3 Pa a proč je nutno při depozici užívat UHV?