Student se v rámci diplomové práce aktivně podílel na realizaci experimentů směřujících k růstu Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát. V rámci bakalářské práce byly připraveny Si(111) vzorky pokryté greenovou vrstvou. Tyto polykrystalické grafénové vrstvy byly připraveny pomocí metody CVD. Studen zvládl techniku přenosu uhlíkových vrstev na křemíkový substrát a sudoval procesy čištění takovýchto povrchů. Po zvládnutí procesu čistění byly na připravené substráty v podmínkách UHV provedeny série depozic Ga za různých fyzikálních podmínek (teplota substrátu). Byly také provedeny experimenty za účelem získání GaN užitím metody posnitridace. Takto připravené vrstvy byly studentem analyzovány užitím metod XPS, SEM a AFM. Výsledky budou využity k přípravě a dalšímu studiu rozhraní grafen/Ga respektive grafen/GaN. Práce studenta byla snaživá a dostatečná. Proto lze konstatovat, že student splnil všechny úkoly zadání, projevoval nadměrný zájem o danou problematiku a při práci si počínal samostatně.

    Předložená práce se zabývá přípravou vrstev Ga a GaN  na grafenu. Teoretická část je velmi dobrou rešerží problematiky i  s přihlédnutím k předpokládaným aplikacím. Praktická část je věnována přípravě grafenu a následné depozici vrstev Ga a GaN. Výsledky jsou uvedeny přehledně, i když některé chyby v popisu grafů kazí celkový dobrý dojem (popis obr. 4.10, obr. 4.17 - intenzita (eV), 4.19 zbytečné závorky atd.) Praktická část ukazuje na dobré zvládnutí  technologie při přípravě vzorků a orientaci ve výsledcích měření i dostatečné množství připravených vzorků. Otázky k obhajobě:

1. Na straně 40 je uveden tok v jednotkách sccm, můžete uvést o jaké jednotky se jedná? Na straně 48 píšete o změně drsnosti, můžete uvést konkrétní hodnoty?