Bakalářská práce se zabývá experimentálním studiem růstu vrstev při ozařování elektronovým svazkem na systému SiO2/Si. Student se věnuje jak růstu samotnému tak vlivům jednotlivých parametrů na růst uhlíkových ostrůvků z reziduální atmosféry. Během řešení práce student pracoval poctivě a svědomitě a zvládl dvě experimentální techniky – mikroskopii atomárních sil a elektronovou mikroskopii (včetně základů elektronové litografie).

Problematika interakce elektronového svazku s povrchem křemíkových substrátu je na ÚFI FSI VUT v Brně vysoce aktuální. Práce dokumentuje systematický postup při sledování výsledků interakce elektronového svazku s energií v řádu keV s povrchovými oxidy křemíkových substrátů pro základní parametry expozice (elektronová dávka, proud svazku, překryv, atd.). Vzhledem k očekávanému rozsahu BP, množství provedených experimentů a zvolené metodice vyhodnocení považuji již samotné vytýčení cílů v zadání práce jako nadměrné. Z tohoto důvodu hodnotím vlastní přínos autora i přes částečné nesplnění cílů v bodě 3 a využití experimentálních dat vedoucího BP jako zcela dostatečné. Text práce je pro čtenáře dle mého názoru hůře srozumitelný vzhledem k množství uvedených dat a testovaných hypotéz. Práce končí na úrovni verifikace deseti hypotéz. Závěry týkající se mechanismu růstu litografických struktur v práci postrádám. BP vytváří dobrý základ pro budoucí cílené zkoumání hlavních efektů a mechanismu růstu struktur při interakci elektronového svazku s povrchovými oxidy křemíkových substrátů. Práce je pěkně graficky zpracována, vyskytují se nesrovnalosti v popisech některých grafů (2) a obrázků (17). Drobné výhrady mám také k abstraktu v anglickém jazyce. Celkově hodnotím BP pana Michala Kostyala kladně stupněm B. Otázky k obhajobě:

1. Jaký je ve světle vašich experimentálních výsledků mechanismus růstu litografických struktur?
2. Popište použité experiemntální vzorky.