Tato dizertační práce se věnuje pozorování růstu různých nízkorozměrných materiálů v reálném čase v rastrovacím elektronovém mikroskopu (SEM): grafenu, povrchově vedených nanodrátů selenidu zinečnatého a velmi tenkých krystalů selenidu cínatého.

První část práce se zabývá růstem grafenu pomocí chemické depozice z plynné fáze kovových substrátech (zlato a měď) v SEM. Zaměřujeme se na rozdíly mezi morfologií a kinetikou růstu grafenu na pevných a kapalných kovových katalyzátorech, kde využíváme i srovnání s teoretickým modelem popisujícím vývoj pokrytí grafenem. Přímá pozorování rychlých oscilací grafenových vloček během jejich samouspořádání na povrchu roztavených kovů nám umožňují zkoumat potenciální vliv elektrostatické, van der Waalsovy a kapilární interakce.

Dále se věnujeme zkoumání depozice materiálů uvnitř speciálně zkonstruovaného reaktoru, který umožňuje vypařování a následnou depozici prekurzoru přímo v SEM. Nejprve zkoumáme povrchově vedené nanodráty selenidu zinečnatého, které rostou katalyzovány zlatými nanočásticemi na strukturovaném safírovém povrchu. Studujeme vliv smáčení substrátu zlatými nanočásticemi a čistoty substrátu na morfologii nanodrátů. Dále je zkoumána syntéza tenkých krystalů selenidu cínatého, přičemž na základě detekovaného kontrastu je sledována dynamika jejich laterálního a vertikálního růstu. Na závěr jsou diskutována omezení současného experimentálního uspořádání a požadavky na nový reaktor.