Student se v rámci bakalářské práce podílel převážně na litografické výrobě zlatých kontaktů ke grafenovým zrnům o velikosti 100 mikrometrů, které byly vyrobeny metodou chemické depozice z plynné fáze na měděných fólií. Během bakalářské práce se student také seznámil s různými způsoby výroby grafenu, které popisuje v teoretické části práce. Experimentální část práce popisuje postupnou výrobu grafenového polem řízeného tranzistoru a měření jeho transportních vlastností. I když v závěru práce nebyly naměřeny výsledky transportních vlastností grafenového tranzistoru dle očekávání, cíle práce byly splněny a student samostatně zvládl základy elektronové litografie.

Bakalárska práca Filipa Vysockého je venovaná štúdiu transportných vlastností grafénu. Práca je špecificky zameraná na samostatné grafénové kryštály vyrobené pomocou chemickej depozície z plynnej fáze (CVD). 
V krátkom úvode autor popisuje obecné výhody štúdia grafénu avšak nespomína motiváciu k téme práce ani očakávané výsledky. V nasledujúcej teoretickej kapitole o graféne sú uvedené základne vlastnosti a výhody grafénu a popísaný poľom riadený tranzistor. V tejto časti by bolo vhodné uviesť bližší popis transportu cez okraje grafénových zŕn ktorý je uvedený ako dôvod využitia jednotlivých grafénových zŕn.
V tretej kapitole práce autor vhodne popisuje rôzne možnosti výroby grafénu so zameraním na CVD techniku. Detailne sa potom zameriava na popis rastu veľkých zŕn grafénu na fóliách s vysokým obsahom kyslíka.
Posledná kapitola je venovaná experimentálnej práci. Popisuje úspešnú litografickú výrobu grafénového tranzistoru a charakterizáciu jeho elektrických transportných vlastností. Výsledkom experimentálnej práce je funkčný grafenový tranzistor. V závere práce by však bolo vhodné porovnať výsledky s polykryštalickou grafénovou vrstvou.
Predložená bakalárska práca môže slúžiť ako vhodný základ pre autorove budúce štúdium v oblasti grafénu alebo experimentálnu prácu v oblasti litografie.
V práci sa nachádza niekoľko nedostatkov. V popise elektrických vlastností grafénu by bolo správne uviesť že lineárna disperzná závislosť platí len v blízkom okolí Diracova bodu. V rovnici 2.1 podľa môjho názoru patrí namiesto vlnového vektoru skôr jeho vzdialenosť od Diracova bodu. Na konci časti 2.1 je uvedená pohyblivosť nosičov náboja za nízkej teploty 200 000 cm2V-1s-1, pričom v úvodnej časti je táto hodnota spomenutá ako pohyblivosť za pokojovej teploty. V skutočnosti je ale dnes možné dosiahnuť o rád lepšej pohyblivosti. Pri popise litografie nie je vysvetlené značenie dĺžky reťazcov polyméru PMM (495, 50). Ďalej chýba uvedenie typu rozpúšťadla a koncentrácie použitého PMMA rezistu a nie je uvedené napätie elektrónového zväzku ktoré výrazne ovplyvňujú potrebnú veľkosť expozičnej dávky.
Veľké množstvo tvrdení v práci nie je podporené citáciami. Autor často cituje prehľadové články namiesto originálnych článkov. Viaceré citácie v práci sú tiež nevhodne uvedené. Napríklad citácia 5 má podporiť tvrdenie o dopovaní grafénovej vrstvy nečistotami odkazuje však na teoretický článok o dopovaní grafénových nanoribbonov. Článok 9 je tiež prehľadový a je uvedený u tvrdenia o stabilite grafénu aj v konfigurácii ako jedno benzénové jadro, to je však v článku uvedené okrajovo, len ako teoretická možnosť nie ako fakt. Podobne aj citácie 7 a 10, pričom prehľadový článok z roku 2010 už dnes nie je aktuálny. Otázky k obhajobě:

1. Grafén je kontaktovaný vrstvou zlata pod ktorú sa deponovala adhézna vrstva 10 nm titanu. Môže tato vrstva ovplivnit elektrické merania ak áno, tak ako ?
2. V časti 3.3.3 je uvedené že grafen je obvykle vyrobený CVD metódou na kovovom substráte. Je možné tuto metódu použiť aj na výrobu grafénu na iné typy substrátov ?
3. Ako súvisí skutočná koncentrácia nosičov náboja v graféne s hodnotami uvedenými v grafe 4.11b) ?
4. Na obrázku 3.5 sú rozlíšené rôzne vrstvy grafénu. Ako vzniká zobrazený kontrast v Ramanovej spektroskopii ?