Student při plnění zadání bakalářské práce využíval UHV aparaturu a AFM mikroskop v laboratoři povrchů a tenkých vrstev Ústavu fyzikálního inženýrství. Po zaškolení pracoval na těchto zařízení samostatně, tedy deponoval velmi tenké křemíkové vrstvy pomocí efúzní cely a následně analyzoval na XPS a AFM. V bakalářské práci popsal problematiku rozkladu SiO2, princip použitých metod a v experimentální části ověřil, že lze leptat SiO2 dodáním Si atomů na povrch vzorku. Ze získaných výsledků rovněž stanovil teplotní závislost rychlosti této reakce. Student splnil všechny body zadání a doporučuji tuto práci k veřejné obhajobě.

Cílem práce bylo ověřit možnost leptání oxidu křemíku pomocí depozice křemíku. Dále měla být stanovena teplotní závislost rychlosti této reakce.
V teoretické části práce podrobně popisuje aspekty chemické reakce rozkladu oxidu křemičitého na oxid křemnatý v podmínkách ultravakua. Je podrobně popsán i princip depozice křemíku pomocí efuzní cely a použité analytické metody (XPS, AFM).  Experimentální část nejprve diskutuje Arrheniovu rovnici ve vztahu k této reakci. Také je zde uveden postup určení tloušťky vrstvy pomocí metody XPS. Následuje popis depozice křemíku při pokojové a zvýšených teplotách. Na základě experimentu při zvýšených teplotách byla stanovena aktivační energie této reakce.
Vzhledem k rozsahu práce a zajímavé diskuzi změřených dat, která je přehledně prezentována, považuji tuto práci za zdařilou, doporučuji ji k obhajobě a navrhuji hodnocení stupněm A. Otázky k obhajobě:

1. Pro úplnost uvádím několik nepřesností a překlepů: str. 17 - laser nedopadá :-); str. 24 – emisní úhel je ve °C; str. 25 – nevhodná jednotka u intenzity píků s-1.
2. V tabulce na str. 27 jsou uvedeny tloušťky deponované Si vrstvy. Některé májí hodnoty v řádu setin nm. Tloušťka Si monovrstvy je v krystalu přibližně 0,3 nm. Domnívám se, že aplikovaný výpočet tloušťky vrstvy pro množství křemíku menší než je jedna monovrstva může být zavádějící. Bylo by možné modifikovat model tloušťky vrstvy (str. 23) tak, aby v něm vystupovala velikost pokrytí SiO2 křemíkem?
3. Jaká byla hustota objektů zobrazených na str. 33?